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骁龙835将亮相CES2017：快充与性能进入新世代

来自：迪信通 2017年01月06日 点击量：5741

2017年1月5日至8日，美国消费电子展（CES2017）将在内华达州的拉斯维加斯举办。与往年的惯例一样， 高通公司公布了一个重磅消息：CEO史蒂夫•莫伦科夫受邀在当地时间1月6日发表主题演讲，届时骁龙835处理器将正式亮相。

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高通首先为骁龙835处理器的Quick Charge 4预热，新一代快充的充电速度提升20%、充电效率提升30%，能在大约15分钟或更短时间内，为2750mAh电池充入高达50%的电量。

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据微博用户@草数码爆料，骁龙835采用自研的Kryo CPU核心，大小核频率分别为3GHz、2.4GHz，GPU升级到Adreno 540，此外还加入对4通道LPDDR4x内存、UFS2.1闪存的支持，4G网络接入能力达到LTE Cat.16。

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高通早先在骁龙技术峰会上宣布与三星电子合作，在骁龙835处理器中采用10纳米FinFET工艺，新工艺节点可减少30%的芯片尺寸，同时性能提升27%、功耗降低40%。

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网友评论（查看全部 1 条评论）

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  • [1楼] 仁者 2017-01-08 04:43:58

    没有详细说明

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